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[Paper Accepted] IEEE-TED |
admin |
2012-06-18 |
2476 |
다음의 논문이 IEEE-TED 에 accept 되었습니다.
저자 : Y.H. Yang, H.W. Jung, F. Yang, J. Wang, G. Yeap, and S.O, Jung
제목 : Read-Preferred SRAM Cell with Write-Assist Circuit using Back-Gate ETSOI Transistors in 22-nm Technology
논문지 : IEEE Transactions on Electron Devices
축하드립니다. |
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