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[US Patent Issued] US007872930 |
admin |
2011-01-27 |
2483 |
다음의 특허가 미국 특허로 등록 되었습니다
발명인 : N. Chen, S.Y. S. Lee, S.O. Jung, Z. Wang
특허명 : Testing a memory device having field effect transistors subject to threshold voltage shifts caused by bias temperature instability
축하드립니다.
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